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蚀刻机和光刻机的区别

这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。 光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这一部分就是必须 的电源电路构造。 蚀刻加工分成二种，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。

NH4Cl浓度对蚀刻的影响：从溶液再生的化学反应式可以看出，[Cu(NH3)2]-的再生过程需要有大量的NH3-H2O和NH4Cl的存在，如果蚀刻机药液缺乏NH4Cl，将使[Cu(NH3)2]-得不到再生，蚀刻速度就会降低，以至于失去蚀刻能力。所以，NH4Cl的含量对蚀刻速度影响很大。但是，溶液中Cl-含量过高会引起抗蚀层侵蚀，一般浓度控制在150g/L左右为宜。

温度对蚀刻速度的影响：当蚀刻温度低于40℃时，蚀刻速度很慢，而蚀刻速率过慢会增大侧蚀量，影响蚀刻精度。温度高于60℃，蚀刻速率明显加快，但氨的挥发量也大大增加，导致环境污染的同时使溶液中化学成分比例失调，故一般蚀刻机工作温度控制在45℃~55℃为宜。

1.蚀刻方法的挑选：金属材料蚀刻的方式依据工件与饱和溶液的触碰方式具体有二种，即 喷洒式和浸泡式。蚀刻方法的挑选标准有下列二种。 （1）总产量：喷洒式蚀刻、速度更快、高精度，合适有一定大批量的生产制造，生产便于完成机械自动化，但机器设备资金投入大，与此同时都不适合对异性朋友工件及大中型工件的蚀刻：浸泡式蚀刻机器设备付出小，蚀刻便捷，适用工件覆盖面广，但不适宜于大批的生产制造，与此同时浸泡式蚀刻较喷洒式速度比较慢，相对而言要低，生产过程不容易完成机械自动化。 （2）工件形状及尺寸：针对大中型工件因为受机器设备的限定，采用喷洒式蚀刻 难以开展，而浸泡式就不容易受工件尺寸的危害。工件形状繁杂，在喷洒时有一些位置会发生喷洒不上的具体情况而危害蚀刻的正常开展，而浸泡式因为是将工件全部浸泡在蚀刻液中，只需维持蚀刻液和工件中间的动态性，就能确保异性朋友工件的各种位置都能充斥着蚀刻液并开展新液与旧液的持续拆换，使蚀刻能一切正常开展。 针对并不大的平面图或是几面图的工件假如情况容许，采用喷洒式蚀刻无论是或是精密度都好于浸泡式蚀刻，因此，针对大批量大，工件尺寸适度（与机器设备相关）、形状简易的平面图形状的工件以采用喷洒式为优选；假如工件外观设计较为大无法采用蚀刻机，工件形状繁杂，大批量并不大，这时以采用浸泡式为宜。